近年来,随着科学技术的飞速发展、以及人们对纳米材料认识的不断深入,石墨烯、纳米线、纳米管等一系列纳米结构相继被发现,适于各种功能化应用的纳米电子器件也不断被提出并构建出来。在各类纳米材料中,尤以石墨烯为代表的碳基纳米结构最为突出,呈现出丰富的结构和电子性质。同时,人们一直没有停止对非碳基纳米结构的探索和研究,如:单层六方氮化硼具有类石墨烯蜂窝状的构型,其表现出奇特的电子性质。不仅如此,最近科研人员在单层六方氮化硼结构上实现了可控缺陷的制备,为电子性质的调控提供了一种有效的途径,也为新型纳电子器件的构建提供了相关基础。本论文基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的计算方法,研究了几类典型的单层硼、碳基纳米结构的电子结构及输运性质,并阐述了现象背后的物理机理,揭示了相关调控机制。本文的主要研究内容如下:首先,本文研究了六方氮化硼纳米带相关电子输运性质,构建了具有边缘缺陷的单层六方氮化硼纳米带结构,发现系统呈现出双自旋过滤效应,自旋极化方向可由缺陷位置所调控。分析表明,不同自旋方向本征透射通道在空间上的分离是造成该效应的原因,并且该效应对纳米带宽度和缺陷长度具有鲁棒性。其次,本文研究了SiC₇纳米带结构的自旋输运性质,发现随着最外层硅原子在纳米带中所处的位置不同、以及纳米带两边缘形貌的组合方式不同,SiC₇纳米带透射谱在费米面处可呈现出自旋未极化、完全极化、部分极化（-33%）三种不同的状态,并且后两种情况均对纳米带的宽度具有鲁棒性,非常适于实际器件的应用。通过进一步对能带的分析,本文对透射谱的形成机制进行了诠释。最后,本文还研究了六方硼烯纳米带的电子输运性质,发现锯齿型与扶手椅型硼烯纳米带均呈现出金属性。随着宽度的增加,前者在费米面处的透射系数呈现整数阶跃增加,并且不随着对称性的变化而变化;而后者在对称型构型中出现透射系数大小交替变化的奇偶效应。进一步分析表明,这是由于宽度的增加引起穿越费米面能带数目的变化所导致的。