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本文采用密度泛函方法(DFT)研究了几类平面型共轭聚合物,并对它们的单体,多聚体的电子性质进行了进一步的计算和讨论。详细阐述了单体、多聚体和聚合体之间电子性质的内在联系,以及不同的取代基对它们的导电性的影响。在第一节中,我们简要介绍了高分子导体的一些研究情况,并介绍了共轭聚合物的研究情况。共轭聚合物,由于存在特殊的共轭结构,在人们搜寻良好的有机导体时,受到广泛的关注。另外,在本章最后部分,我们概况了本文所做的工作和意义。在第二节中,我们介绍了本文中用到的理论计算方法—密度泛函理论,包括其基本原理和常用方法,以及一些基于密度泛函理论的常用软件包。另外还介绍了几种本文中用到的理论分析手段和方法:核独立化学位移(NICS)分析,自然成键轨道(NBO)分析及分子中的原子(AIM)理论。在第三节中,我们主要研究了聚苯乙炔(PPV)、五种聚苯乙炔衍生物(PO、PFA、PFB、PCN、POCN)以及它们的单体、低聚体(二聚体、三聚体和四聚体)。对聚合物,详细分析了不同取代基对它们能带的影响,并从结构方面分析了共轭双键键长变化对能带的影响;对单体、低聚体,分析了不同取代基对它们能隙的影响,重点分析了单体、低聚体的NICS值。另外我们还从NBO分析和NICS分析两个角度阐述了低聚体和聚合体之间的联系:低聚体的Wiberg键级分析表明,这些聚合体能带值相近时,它们的低聚体相应的Wiberg键级也相比较接近;而NICS的分析结果也得到相似结论,该系列聚合物的能带值相近时,它们的低聚体的NICS值也是比较相近。在第四节中,我们用密度泛函方法分析了聚噻吩并[3,4-b]吡嗪(PPS)、聚呋喃并[3,4-b]吡嗪(PPO)、聚6氢-吡咯并[3,4-b]吡嗪(PPN)这三种聚合物和它们的多聚物。采用NICS作为考察共轭程度的一种依据,进行了详细的分析。NICS值的变化表明:在低聚物中,中心位置的共轭程度要比两端的强的多,而离聚合轴近的环的共轭程度变化辐度要大的多。在第五节中,我们分析了几种聚噻吩并[3,4-b]吡嗪(PS)的衍生物以及它们的多聚物。对能带结构分析表明,低聚物的能隙值与其聚合物能带值没有必然的联系,即低聚物的能隙较大的,它们的能带反而可能较小。