纯铝双晶中不同类型晶界的内耗研究

来源 :中国科学院合肥物质科学研究院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xblxr
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本文系统地研究了以<100>为转轴的纯铝(99.999%)双晶中对称倾侧晶界(包括小角度晶界、大角度高∑和低∑重位点阵晶界)的内耗。着重考察高∑、低∑重位点阵晶界的晶界内耗特点。七种倾侧晶界的取向差分别为:7.5°,9.3°,14.5°,33.4°,36.0°(~∑5),41.2°,43.1°(~∑29)。在所有的双晶试样中,都观测到一个由晶界引起的明显的弛豫型内耗峰。小角度晶界的弛豫参量与大角度晶界的明显不同,大角度高∑晶界的弛豫参量与无规晶界的在同一水平。而低∑(∑5)重位点阵晶界的弛豫参量,与小角度晶界、大角度高∑和无规晶界的弛豫参量有明显差别。这反映出不同类型晶界结构的不同特点。利用耦合模型对晶界内耗数据进行了深入的分析,发现不同类型晶界弛豫的耦合强度不同。小角度晶界的耦合强度较低,耦合作用对晶界弛豫的影响可以忽略,根据其激活参量和位错结构,小角度晶界内耗的基本机制可归因于位错攀移。大角度晶界的耦合强度较大,其较高的测量激活能是由弛豫元间的强耦合作用引起的。经过解耦后,发现不同类型大角度晶界内耗的本征激活能在同一水平,与晶界扩散激活能相近,因而大角度晶界内耗的基本机制可归因于晶界扩散。同时测量了以<111>为转轴纯铝双晶中不同取向差的倾侧晶界的内耗。观察到小角度晶界和大角度无规晶界的激活参量,与<100>系列的相符。但∑3重位点阵晶界不出现明显的内耗峰,其原因有待进一步研究。此外,本工作还考察了晶界面密度(单位体积试样中的晶界面积)与晶界内耗之间的关系。
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