【摘 要】
：
本文采用共沉淀法制备了系列二氧化锡基导电粉体,通过多种手段对粉体进行表征,研究了制备工艺对粉体电阻率等性能的影响.1、以SnCl·5HO、SbCl和NaOH等为主要原料,运用共沉淀
论文部分内容阅读
本文采用共沉淀法制备了系列二氧化锡基导电粉体,通过多种手段对粉体进行表征,研究了制备工艺对粉体电阻率等性能的影响.1、以SnCl<,4>·5H<,2>O、SbCl<,3>和NaOH等为主要原料,运用共沉淀方法制备了锑掺杂SnO<,2>(ATO)粉体,采用TG—DSC、XRD、TEM等手段对粉体结构进行了表征,并采用自制装置测量了粉体电阻率.仔细研究了煅烧温度、反应pH值、分散剂等对粉体粒子粒度及分散性的影响,考察了锑掺杂量、共沉淀条件、煅烧温度等对粉体电阻率的影响.结果表明,制备的ATO粉体粒子分布均匀、平均粒度可小于300nm,粉体电阻率小于10Ω·cm.2、以超细TiO<,2>为基材,采用包覆ATO导电层的方法制备了TiO<,2>/Sb<,x>Sn<,1-x>O<,2>复合导电粉体,运用XRD、TEM、FTIR、XPS等手段对复合粒子进行了表征,研究了SnCl<,4>·5H<,2>O用量、锑掺杂量、包覆反应条件及煅烧温度等因素对粉体电阻率的影响.实验结果表明,制备的复合粉体电阻率可低于50Ω·cm.3、以云母为基材,制备了Mica/Sb<,x>Sn<,1-x>O<,2>复合导电粉体,重点研究了预处理工艺、云母粉体粒度、分散方式等对粉体电阻率的影响.结果表明,复合粉体电阻率可低于100Ω·cm.4、以SnCl<,4>·5H<,2>O、H<,3>PO<,4>和NaOH等为主要原料,运用共沉淀法制备了白色磷掺杂SnO<,2>(PTO)粉体,通过TG—DSC、XRD、FTIR、TEM等手段对其进行了表征,研究了磷掺杂量、反应pH值、煅烧温度等主要因素对粉体电阻率的影响,并对PTO半导化的机理做了初步探讨.实验结果显示,磷掺杂使SnO<,2>半导化能力有限,因而PTO粉体电阻率较高;而PTO产生载流子归因于P<5+>取代SnO<,2>晶格中的Sn<4+>.
其他文献
该文通过对分子筛人工合成历史的回顾以及合成分子筛研究发展的回顾,选定用亚磷酸为磷源合成亚磷酸铝、磷酸铝分子筛材料作为研究方向.进行了亚磷酸为磷源合成亚磷酸铝、磷酸
高铁酸钾是一种集氧化、吸附、絮凝、助凝、杀菌、除臭为一体的新型高效多功能水处理剂.近年来,高铁酸钾因其优越的氧化性能和独特的水处理功能而成为越来越多的学者研究的对
为解决六价铬镀铬严重的环境污染问题，同时也为达到节约铬资源和节省能源的目的，从三价铬镀液中电沉积非晶态铁铬合金镀层在目前成为一条切实可行的技术路线。论文从三价铬镀液中电沉积非晶态铁铬合金镀层，研究了甘氨酸浓度、电流密度、pH值和温度等工艺参数对镀层中铬含量的影响，以及添加剂和杂质离子对电沉积过程的影响。用扫描电子显微镜(SEM)方法观察了不同沉积时间及添加剂加入后铁铬合金镀层的表面形貌。用X光电子
该文首先合成了一种含有功能化基团的偶氮染料DR-19.并选择不同的单体与之反应合成了偶氮聚酯、偶氮聚氨酯Ⅰ、偶氮聚氨酯Ⅱ三种偶氮聚合物.运用FTIR、UV-vis、RF、DSC、TGA
在第一章综述了有机半导体复合光电导材料及器件的研究进展的基础上，提出本论文研究思路。第二章系统地研究了氯丹蓝偶氮/酞菁氧钛复合单层光导体的制备工艺条件(分散溶剂、材
农一师青松建材化工总厂是50年代初创建的“五小”企业。进入80年代后,该厂坚持“以市场为导向,以经济效益为中心,量力而行,梯度增长,滚动发展”的方针,十几年来,企业规模和
近年来,硝酸厂、己二酸厂等化工厂以及机动车尾气排放的N20量逐年增加。N20不仅是主要的温室气体之一,而且还破坏对流层中臭氧。因此,如何有效消除N20是人们迫切需要解决的问题。直接催化分解法是目前消除N2O最有前景的方法。由于上述N20排放源尾气所处的环境温度并不高,并且这些排放源中含有一定浓度的CO2、H2O、 O2、SO2、NO等杂质气体,所以开发一种价格低廉、低温高效以及对杂质气体具有强抗性
近年来,全球范围内糖尿病患者数量的不断增加引起了人们对糖尿病的高度重视,各个领域的科研工作者们相继对葡萄糖传感器产生了浓厚的兴趣。目前,应用最广泛的血糖仪是一种电
自从发现物质的性质与分子的聚集状态密切相关以来,分子有序聚集的问题已经引起化学家的很大关注.该论文重点探讨过渡金属配合物分子的有序聚集问题,从晶体结构的角度出发,用
用溶胶-凝胶法制备了纳米TiO,考察了不同制备条件对其比表面积（SSA）的影响.结果表明,CHCOOH：Ti（OCH）：CHOH：HO为0.5：1：3：4的溶液经水解缩聚、陈化、303K烘干后,773K焙烧2h所得TiO粉末的