宽禁带半导体材料GaN及其三元合金AlGaN,由于其禁带宽度大、热稳定性和化学稳定性好,在光电子器件,尤其紫外探测器领域有着重要的应用价值。其中探测波段在240-280nm区间(日光盲区)的探测器可以广泛应用于导弹尾焰探测、火灾监测、卫星间通信等领域,在国际上引起了广泛的研究兴趣。本文针对基于高温AlN模板层的GaN基背照式p-i-n型日光盲探测器的设计、制作与性能测试开展了研究。着重研究了对实现日光盲探测具有重要意义的AlN缓冲层材料的MOCVD生长、p型GaN的掺杂及欧姆接触。研究发现在蓝宝石衬底表面无氮化,低V/III比情况下,可以在1200℃高温下生长出表面原子级光滑的AlN材料。将该AlN材料作为模板层,成功生长了高Al组分(>0.4)的n-AlGaN材料。在高温AlN模板上采用渐变δ掺杂的方法,制备了空穴浓度高于5.0×1017cm-3的高质量p-GaN材料。分析发现,HT-AlN/蓝宝石模板与渐变δ掺杂的方法改善了p-GaN的晶体质量,提升了p型性能。通过快速退火的实验研究,利用圆形传输线模型进行测试分析,在600℃150秒的快速退火条件下,获得了比接触电阻为5.14×10-5Ω·cm2的高质量p型欧姆接触。在蓝宝石衬底上成功生长高温AlN模板层与获得高质量p型GaN材料与欧姆接触的基础上,成功制作了GaN基背照式p-i-n日光盲探测器。对电学特性与光谱响应的测试表明,该探测器实现了真正的日盲区探测。在反向偏压1.5伏的工作状态下,275nm处达到了0.0864 A/W的峰值响应度。