功率VDMOS器件具有开关速度快、输入阻抗高、驱动能力强、不存在二次击穿现象等优点，广泛应用于自动控制、混合动力系统、军工、航天等领域。由于VDMOS器件的广泛应用，使得VDMOS器件的使用可靠性成为人们关注的重点。针对功率VDMOS器件的使用可靠性问题，本文进行了高温加速寿命实验。在实验过程中，大功率VDMOS器件出现突然烧毁的现象。分析表明，器件发生烧毁的原因是由于接触热阻变大。进而，本文对接触热阻展开研究。　　接触热阻的产生是由于VDMOS器件与散热片之间由于接触界面之间存在间隙，以及导热系数不匹配等原因导致的。接触热阻的存在使得热量在器件散热通路上传播过程受到阻碍，器件内部热量难以及时发散，结温升高。随着工艺水平的不断提高，大功率器件内部热阻可降至0.1～0.4℃/W左右，而接触热阻甚至会高于器件热阻两倍以上。接触热阻阻碍器件散热，导致器件结温升高，使得器件使用可靠性下降，严重时将导致器件烧毁。　　针对以上两个问题，本文做出以下研究:　　一、对大功率VDMOS进行了150℃、180℃、200℃、230℃高温加速寿命实验，通过测量IRFM260器件在加速条件下的敏感参数（导通电阻Ron、阈值电压VGS、栅极电流IGS，截止漏电流IDSR，漏源电流IDSS（导通状态））退化规律及失效时间，分析失效分布情况，从而得到正常应用条件下，大功率VDMOS器件的寿命、失效率等可靠性参数。　　二、对接触热阻的无损测量问题进行研究。本文利用接触热阻随接触应力变化这一机理，利用Phase11热阻分析仪对样品的总热阻进行测量，建立接触热阻与接触应力的数学模型，并利用测得的数据对接触热阻进行提取，进一步验证接触热阻与接触应力之间的函数关系，并在ICEPAK热模拟软件中对不同接触应力下的接触热阻进行热模拟。　　三、本文还对接触热阻的温度特性及退化特性进行了研究。将样品置于可控温的恒温平台上，以恒温平台的温度变化来模拟环境温度的变化，在恒温平台温度变化的同时测量样品的总热阻，提取接触热阻并对比温度变化过程中接触热阻的变化情况。　　当大功率器件安装到散热片上之后，经过长期的使用，接触热阻会发生变化，变化速率、变化程度又将如何？本文针对这一问题做出研究，本文利用三只样品进行高温加速寿命实验，实验选择150℃、140℃、130℃进行高温加速寿命实验，首先测量样品初始接触热阻阻值，以接触热阻变化量达到20％为失效判据，测得高温情况下三只样品的失效时间，并利用Arrhenius模型外推室温下样品的失效时间。　　高低温温度循环情况又会如何影响接触热阻？本文对接触热阻样品进行高低温温度循环实验，实验高温限制选定为120℃，低温限制选定为-30℃，循环周期为2h，其中保持时间为40min。在以上条件下进行高低温温度循环实验，探究接触热阻的变化情况。