【摘 要】
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在结构为ITO/TPD/Alq/Al的器件中,作者首次提出将增强电子注入与限制空穴注入结合在一起的思想,在阴阳极处同时使用LiF薄层,在LiF厚度为0.4nm时获得了比在单侧电极处使用LiF薄层的器件更高的亮度和效率,在12V偏置电压下,该器件的亮度可达到21000cd/m.另外,在9.5V偏置电压以上时,该器件表现出陡峭的I-V特性.我们对新型的蓝色荧光染料:吡唑啉衍生物EP5进行了光学和电学特
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在结构为ITO/TPD/Alq<,3>/Al的器件中,作者首次提出将增强电子注入与限制空穴注入结合在一起的思想,在阴阳极处同时使用LiF薄层,在LiF厚度为0.4nm时获得了比在单侧电极处使用LiF薄层的器件更高的亮度和效率,在12V偏置电压下,该器件的亮度可达到21000cd/m<3>.另外,在9.5V偏置电压以上时,该器件表现出陡峭的I-V特性.我们对新型的蓝色荧光染料:吡唑啉衍生物EP5进行了光学和电学特性的表征.当EP5掺杂浓度为30﹪时,器件ITO/NPB(100nm)/TPBI:EP5(25nm)/TPBI(25nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的发光峰值波长为476nm,最大亮度可达到5000cd/m<2>,在电压为8.24V时有最高效率0.78lm/W.我们自行设计了四种采用国产光刻胶制备电极隔离柱的方案,四种方法均可实现对金属电极的隔离,并成功地制备了象素96×64,6条线/毫米的无源单色矩阵有机发光显示屏.我们在简陋的国产蒸镀设备上通过自己设计的Shadow mask、对准技术以及掩模板微动法形成有机物R、G、B三基色图形的方法,制成了32×3×64,3条线/毫米的无源矩阵彩色有机发光显示屏.
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