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本文介绍了一种新型的常压射频微束等离子体流放电装置，并用该装置对微电子工艺中光刻胶的清洗进行了实验研究。该设备采用自激射频放电产生微束氩氧等离子体，其产生束流的长度为10mm，直径为2mm，放电功率仅为50W。采用这种等离子体微束流清洗光刻胶的实验表明，在涂有9912光刻胶的硅片上，用微束等离子体清洗光刻胶的速率能达到900nm/min。这种设备和工艺为微电子制造工艺中局部残胶的清洗提供了一种可靠的手段。
本文还研制了用于该设备的自激射频电源，该电源通过晶振(13.56MHz)自激振荡产生射频信号，经过功率放大后升压输出，具有体积小、结构简单、功率低等特点，满足整个设备小型化及低功耗的要求。