【摘 要】
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该论文通过化学氧化聚合方法制备了聚3-己基噻吩(P3HT)和PEDOT两种聚噻吩衍生物.1.采用对甲基苯磺酸铁(Fe(TOS))作为合成PEDOT的氧化掺杂剂,探讨了反应工艺条件影响PEDOT氧化
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该论文通过化学氧化聚合方法制备了聚3-己基噻吩(P3HT)和PEDOT两种聚噻吩衍生物.1.采用对甲基苯磺酸铁(Fe(TOS)<,3>)作为合成PEDOT的氧化掺杂剂,探讨了反应工艺条件影响PEDOT氧化聚合的聚合产率、聚合产物的电导率以及分子结构特征等.通过对反应条件的优化,得到PEDOT合适的氧化聚合工艺条件:反应体系采用水为溶剂、反应温度为20℃和氧化掺杂剂Fe(TOS)<,3>与反应单体等摩尔量的聚合条件.2.研究了PEDOT在水体系和有机溶剂体系中反应产物电导率的差异.3.在低温下聚合能得到电导率高的PEDOT,升高温度虽可增加聚合反应速度,但是却降低了电导率.4.氧化剂与反应单体的比例在1:1时,既可以保证较高的产率也可获得最大电导率的PEDOT.适当的投料方式如缓慢加入氧化掺杂剂和控制适当的反应温度,可以控制反应初始的速度,所得产物的电导率较高和聚合物晶态结构较为规整.5.采用偶联反应制备了3-己基噻吩(3HT),然后在三氯化铁的作用下进行聚合反应得到P3HT,紫外-可见光谱分析和红外光谱分析等结果表明,P3HT薄膜的紫外吸收光谱比其三氯甲烷溶液的吸收光谱发生了红移,说明固体形式的P3HT具有更高的共轭长度.根据αhv~hv和(αhv)<2>~hv这两种模型,计算了P3HT薄膜的光学禁带宽度E<,g>在1.81eV~1.93eV之间.
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