太阳能的利用是解决全球环境污染和能源危机最有效的途经之一,但成本居高不下是制约太阳电池大规模应用的关键因素。如何进一步提高太阳电池光电转换效率,已成为该领域的热点课题。本文针对太阳电池制作过程的热工序,分别就表面钝化、氧碳形态对太阳电池光电转换效率的影响进行了研究。首先,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了氮化硅薄膜。利用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱等手段,对氮化硅薄膜进行了深入的研究,优化了薄膜制备条件并采用最优沉积条件制备了多晶硅太阳电池。通过测量红外吸收光谱,发现氮化硅薄膜的氢含量与少数载流子寿命有一定的关系;通过实验比较了PECVD前后电池的各项性能,获得高光电转换效率的减反射膜沉积的最佳工艺条件。其次,文中选取氧碳含量差异较大的大直径单晶硅片,在太阳电池制备过程中采用不同预热处理工艺,运用铝背场烧结,内外吸杂、制备绒面和减反射膜等多项技术,对衬底材料进行处理。通过改变烧结条件,将铝吸杂与掺硼晶硅薄膜吸杂进行比较,并将RTP工艺与背场烧结、低――高工艺结合,获得提高太阳电池光电转换效率的新工艺条件。本实验结果对提高晶硅电池转换效率不仅提供了工艺保证,也起到理论指导作用。