低噪声放大器(LNA)广泛应用于通讯、电子对抗等系统的接收装置的前端,其性能的好坏对整个接收装置有重要的影响。对微波高频宽带低噪声放大器的要求是:低功耗、低成本、宽带、高线性度和低噪声。论文应用多种技术和方法设计了一个MMIC微波单片集成的宽带低噪声放大器。这些技术和方法包括:1、为解决低噪声及低成本的问题,设计中采用SiGe异质结器件来取代通用的Si器件,同时也放弃使用GaAs器件。这是由于SiGe器件不仅具有类似GaAs器件的高性能,而且具有Si器件的低成本。在工艺上,SiGe器件可以采用BiCMOS技术,很好地实现了与CMOS技术的兼容。2、采用电路可关断技术,导通状态时器件处于工作状态;非导通状态时器件处于截止状态。采用器件旁路小电流工作电路,实现对低噪声放大器主要工作晶体管的控制,使该晶体管按需要分别处于工作或关断状态,保证了放大器的极低功耗。3、使用反馈技术,不仅可以获得平坦的增益和降低输入输出的驻波比VSWR,而且也可以使用较少的元器件。也可以用平衡技术来设计宽带放大器,但使用的元件较多,成本较高,所以在设计中没有采用平衡技术。4、利用寄生参数来设计电路。由于电路的封装存在寄生电感,其不仅会影响电路的特性,而且可能造成电路设计工作的失败,所以根据电路所需电感及其值的大小,将之有效的设计在放大器电路中。5、采用内匹配网络技术,设置输入输出匹配网络,以保持增益和传输特性的平坦性,提高输出功率和效率,降低反射系数,减少损耗。论文提出了具有开关功能的低功耗SiGe双极器件的新型放大器和利用寄生电感来设计电路的新思路,同时在工艺上采用SiGe HIT-KIT 0.35μm BiCMOS工艺来制作平面电感和有源器件,成功完成了0.5-6GHz微波宽带低噪声放大器的前期仿真和设计工作。以论文的结果为基础,可望在后续工作中完成该低噪声放大器的实用化,最终实现市场推广价值。