多层陶瓷电容器（MLCC）作为重要的基础元器件广泛应用于电子信息技术领域,现阶段应用最为广泛的是低频热稳定的X7R型MLCC。但随着电子终端设备在高温极端环境下的应用,能适应高温条件工作的X8R型MLCC成为迫切需要,因此低频热稳定的X8R陶瓷材料成为研究热点。钛酸钡（BaTiO₃,BT）基陶瓷材料是一类重要的MLCC材料,目前高可靠的低频热稳定MLCC基本上都是以BaTiO₃为基制备而得。但纯BaTiO₃在125℃附近存在着介电常数异常的居里峰,温度特性不符合X8R标准,因此为制得符合X8R标准的MLCC材料,需要对BaTiO₃进行适当的掺杂改性,还需要选择合适的工艺条件。本论文以MLCC材料的应用为背景,对BaTiO₃基陶瓷系统进行掺杂改性研究,旨在研制出介电性能优良的无铅X8R陶瓷材料。首先研究了Nb₂O₅-Co₂O₃和轻稀土氧化物Nd₂O₃、CeO₂掺杂对BaTiO₃基陶瓷系统的影响,并分析了其作用机理,确定了其合适的添加量,研制出了介电性能较好的X7R陶瓷材料。对BaTiO₃基陶瓷系统,当Nb⁵⁺:Co³⁺=3:2,Nd₂O₃和CeO₂的含量分别为6mol%和4mol%时,经1280℃烧结后的陶瓷样品的温度特性符合X7R标准,且在-55℃到+150℃范围内电容量变化率小于±10%,此时室温下的介电常数为3200。Nd₂O₃和CeO₂的含量均为6mol%时,陶瓷样品经1280℃烧结后温度特性也符合X7R标准,此时室温下的介电常数为3400。在上述基础上,研究了Bi₄Ti₃O₁₂和Bi₄（Ti, Sn）₃O₁₂掺杂对BaTiO₃基陶瓷系统的影响。研究发现,Bi₄Ti₃O₁₂和Bi₄（Ti, Sn）₃O₁₂不仅可以改善BaTiO₃基陶瓷系统的温度特性,还显著降低了系统的烧结温度。通过向BaTiO₃系统中掺入预先合成的Bi₄Ti₃O₁₂和Bi₄（Ti, Sn）₃O₁₂,在合适的工艺条件下制得了无铅X8R陶瓷材料。其中Bi₄Ti₃O₁₂掺杂的BaTiO₃基陶瓷样品在Bi₄Ti₃O₁₂掺杂量为1mol%时,经1200℃烧结后可以满足X8R标准,室温介电常数约为2040。Bi₄（Ti, Sn）₃O₁₂掺杂的BaTiO₃基陶瓷样品在Bi₄（Ti, Sn）₃O₁₂掺杂量为1mol%时,经1180℃和1200℃烧结后均可以满足X8R标准,且温度特性优于BIT掺杂的陶瓷样品,1180℃和1200℃烧结后陶瓷样品在室温下的介电常数分别约为1950和2020。