LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能,且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构,被认为是理想的电极和缓冲层材料.在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜,进而制备硅基铁电器件具有重要意义。本文采用溶胶-凝胶工艺,以La(NO3)3·nH2O、Ni(CH3COO)2·4H2O为原料,乙二醇甲醚或乙二醇甲醚和乙醇的混合液为溶剂,制备了稳定的LaNiO3溶胶。采用浸渍提拉法在硅基板上制备了导电性能良好,高(100)取向的LaNiO3薄膜。研究了溶液浓度、溶剂组份、热处理工艺、不同取向Si衬底对LaNiO3(100)取向生长的影响。研究结果表明：溶剂成份和热处理工艺是影响LaNiO3薄膜(100)取向生长的主要因素。以乙二醇甲醚作为溶剂,控制LaNiO3溶胶金属离子浓度为0.1mol/L,以4cm/min的速度在Si基底上通过浸渍提拉法制备LaNiO3凝胶薄膜,将其直接放入事先在炉膛中已加热到750℃的水平Si基板上,在750℃处理5min后直接取出空冷至室温,重复10次后再在750℃终处理30min,可以制备得到取向度高达95%的(100)LaNiO3导电薄膜。进一步在硅基LaNiO3薄膜上制备了取向度97%以上的(001)取向PZT铁电薄膜,铁电性能测试表明：本实验工艺制备出PZT铁电薄膜,剩余极化值达到26.6μC/cm2,相对于LaNiO3/Si基板上随机取向的PZT铁电薄膜剩余极化值16.2μC/cm2,提高了60%以上。Si基(001)PZT/(100)LaNiO3薄膜在109次循环后没有发现PZT薄膜有明显的疲劳现象,具有良好的抗疲劳特性。