二维光子晶体带隙计算和缺陷膜分析

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光子晶体的许多应用是基于光子禁带的存在与大小,因此在理论上研究禁带的性质,设计出具有尽可能大的禁带的光子晶体材料具有重要的意义.在对二维光子晶体的研究中人们发现,光子晶体的对称性情况和光子禁带有着密切的联系.对称性的降低会使得能带结构的简并消除,具有获得较大禁带的趋势.研究表明,改变光子晶体的对称性可以影响禁带的结构.目前,人们的研究已经证实了减少光子晶体的对称性可以做到产生较大的光子禁带.我们计算了二维长方结构各向异性碲椭圆柱光子晶体的带隙.得到了0.05068ω<,e>(ω<,e>=2πc/a)的大带隙.将长方结构改为三角结构做了同样的计算,我们发现了两个大带隙.一个在归一化低频率区域大小为0.05068ω<,e>,同时,在高频率区域找到了一个较大的带隙0.04490ω<,e>.用线性变换方法推导了二维正方结构正n边形直柱光子晶体的带隙计算公式.采用线性变换方法可以简单地处理平面波展开方法中ε<-1>(r)的Fourier变换系数,使得相应的带隙计算变的简单有效.我们用FDTD(时域有限差分法)方法计算了二维正方晶胞各向异性碲圆柱光子晶体的点缺陷模.该文用FDTD方法计算了二维光子晶体线缺陷波导,并且对计算结果做了讨论.
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