【摘 要】
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该文首次利用高分辨率X射线衍射分析技术研究了用MOCVD方法生长的阴极外延层和结构为玻璃/SiN/GaAIAs/GaAs的阴极组件,采用倒易空间衍射图的方法评价了阴极材料的质量.建立了
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该文首次利用高分辨率X射线衍射分析技术研究了用MOCVD方法生长的阴极外延层和结构为玻璃/SiN/GaAIAs/GaAs的阴极组件,采用倒易空间衍射图的方法评价了阴极材料的质量.建立了阴极组件的缺陷模型,采用X射线衍射动力学理论,在忽略衬底反射的条件下,模拟了阴极组件的X射线衍射的摇摆曲线.该文利用Nd:YAG短脉冲激光器作为激发光源,单脉冲宽度5~10ps,从实验上研究了结构为玻璃/Si<,3>N<,4>/GaA1AS/GaAs/GaA1As的样品GaAs激活层中少数载流子寿命,测量到了不同粘接质量样品的GaAs层少数载流子寿命线;通过求解少数载流子满足的一维非稳态扩散方程,对实验结果进行了模拟,得到了少数载充子在不同时刻、不同空间区域的分布,以及与实验结果符合较好的少数载流子寿命曲线.该文法提供了一咱简单快速测量阴极组件激活层少数载流子寿命并少数载流子扩散长度的方法,具有测量精度高?重复性好、不损伤样品等优点.由于Cs-O激活层结构是负电子亲和势GaAs阴极研究中一处重要的基本问题,该文对这一问题进行了探讨,首次提出了采用扫描隧道显微分析技术(STM)研究Cs-O层结构的构想和详细技术方案.完成了带微通道板和荧光屏的单甸圭双近贴象增强的主要工艺过程,压封成功了积分灵敏度约110μA/1M的单铟封双近贴象增强器.
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