下一代光通信正向高速率、大容量、宽带宽、长距离、高智能以及低成本等方向发展。虽然，光分立器件取得重大进展和突破，如制作工艺相当完善，性能也相当优异，但是，集成光电子器件在一起，特别是当今的主流方向单片集成，却面临许多核心问题必须解决。　　本论文是将选区外延生长（SAG）技术应用到InP基的单片集成，具体内容可分为以下几方面：首先，总结并分析了SAG单片集成方案，并且对集成的方案进行比较，以及其发展和应用现状；同时也分析了SAG的工作原理，并利用Comsol对气相扩散进行模拟；最后，利用SAG方案进行了实验探究。　　经过模拟得到以下结论：双掩膜时，横向生长增强呈现抛物线型，当掩膜变宽，同一位置的生长增强呈线性增加，当开区变宽，同一位置的生长增强呈指数衰减；串联掩膜时，纵向生长增强呈现出台阶状，带隙波长也呈台阶形；并联掩膜时，横向生长表现为线性状。通过实验，可以看到带隙漂移量大约在30-40nm左右。