三元混晶较二元晶体的突出特征是可以通过改变混晶的组分来人为的控制材料的重要物理参数,例如禁带宽度和晶格振动频率等.正是由于具有许多二元晶体所没有的独特物理性质以及在异质结、量子阱、超晶格、量子线、量子点等半导体低维系统中的广泛应用,三元混晶成为了制造许多新型的电子和光电器件的重要材料.近年来,三元混晶中的声子、激子、极化子、声子极化激元和激子极化激元等元激发问题成为凝聚态物理的重要研究领域之一,受到了广泛和持续的关注.本文主要研究极性三元混晶膜中表面激子极化激元的色散性质及其相关问题.在波恩-黄近似下,利用麦克斯韦方程组研究了极性三元混晶膜中的表面激子极化激元的性质.以Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体三元混晶膜AlxGa1-xAs、AlxGa1-xN和CdxZn1-xSe为例,数值计算了表面激子极化激元的能量随波矢、混晶组分和薄膜厚度的变化规律,以及两支色散曲线的分裂能随混晶组分的变化规律.研究结果表明：当组分x=0或1时,三元混晶膜的表面激子极化激元色散曲线分别与其相应的二元晶体膜的极化激元色散曲线相同.随着波矢的增加,表面激子极化激元的能量迅速增加,在某一波矢处很快接近纵激子能量；波矢进一步增大时,由于空间色散,两支曲线继续向上弯曲；当波矢很大时,两条表面激子极化激元色散曲线汇合为一条.当混晶组分不为0或1时,三元混晶膜中表面激子极化激元的色散曲线显示出其混晶特征.与二元晶体相比,三元混晶膜中的表面激子极化激元模色散曲线虽仍为两条,但相应波矢下的频率值不同,并随着三元混晶组分x的变化呈非线性变化.