MgZrNb2O8微波介质陶瓷的制备与介电性能研究

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微波介质陶瓷作为5G基站的关键电子材料,合适的介电常数、低损耗、近零的谐振频率温度系数和较低的烧结温度是其能够实际生产应用的必备条件。在众多中介电常数的微波介质陶瓷中,MgZrNb2O8(MZN)陶瓷以其相对较高的微波介电性能和低廉的成本被各国学者广泛研究。本文也以该体系为研究对象,系统分析复合离子取代和玻璃掺杂对材料微波性能和晶体结构的影响,具体研究内容如下。1.系统研究(Mg1/3Ta2/3)4+复合离子对物相组成、晶体结构和陶瓷微波性能的影响。随着(Mg1/3Ta2/3)4+复合离子的取代量逐渐增加,陶瓷形成固溶体,无第二相生成,介电常数逐渐增加,品质因素呈现先增后减的趋势,谐振频率温度系数一直降低。Mg Zr0.96(Mg1/3Ta2/3)0.04Nb2O8陶瓷在1340℃的烧结温度下烧结4小时获得最佳微波介电性能:εr=25.42,Q×f=65,950 GHz,τf=-61.04 ppm/℃。2.利用(Al1/2Ta1/2)4+复合离子取代Zr4+离子。随着复合离子的取代量逐渐增加,陶瓷形成固溶体,根据Rietveld精修结果和复杂化学键理论系统分析微观晶体结构与宏观介电性能之间的关系。在1340℃的烧结温度下烧结4小时,Mg Zr1-x(Al1/2Ta1/2)xNb2O8(x=0.2)陶瓷获得最佳微波介电性能:εr=24.77,Q×f=59,234 GHz,τf=-54.17 ppm/℃。3.用(Ti1/2W1/2)5+复合离子对B位进行离子取代。随着离子取代的数量逐渐增加,陶瓷形成固溶体,无第二相生成。利用理论介质极化率分析介电常数持续减少的原因,用原子堆积率和B位平均晶格能系统分析品质因素先增后减的原因,用Nb位平均键能分析谐振频率温度系数的变化趋势。最终,MgZrNb2-x(Ti1/2W1/2)xO8(x=0.06)陶瓷在1360℃烧结温度下烧结4小时获得最佳微波介电性能:εr=24.91,Q×f=66,246 GHz,τf=-56.72 ppm/℃。4.利用低熔点的ZB玻璃作为助烧剂来降低MZN陶瓷的烧结温度。通过物相组成、微观形貌等表征手法对整个降烧过程进行系统分析,ZB玻璃在陶瓷内产生了许多液相,加速了陶瓷致密化的进程,成功地使MZN的烧结温度从1340℃降低到950℃,虽然生成的第二相Zn4O(BO2)6和第三相Zn3(BO3)2会在一定程度上恶化陶瓷性能,但是MgZrNb2O8+30wt.%ZB在950℃烧结温度下烧结4 h仍展现出优异的性能:εr=20.39,Q×f=38,412 GHz,τf=-74.21 ppm/℃。
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