【摘 要】
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制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代中后期SiC才得到重大发展.该论文的工作就是
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制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代中后期SiC才得到重大发展.该论文的工作就是评述SiC材料特性,晶体制备技术的基础之上,对制备SiC外延薄膜CVD,MBE和溅射法等方法进行详细阐述,特别是对射频法在Si衬底上制备SiC薄膜的机理,薄膜的质量进行了研究.试验结果表明,利用射频溅射技术在Si衬底上得到了由结晶小颗粒堆积而成的织构形式的薄膜.最后,我们报道了用热蒸发Al作肖特基接触在SiC材料上制作二极管的工艺流程和器件特性,采用的正是我们前一步射频溅射法在Si(111)衬底上生成的SiC薄膜.I-V特性测量说明Al-SiC SBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理.反向击穿电压为22.5V,理想因子为1.19,肖特基势垒高度为1.03eV.开启电压约为0.5V.
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