【摘 要】
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采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固Si-SiO2光频电容率在沿Si-SiO2的深度分布上
【机 构】
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新疆石油学院基础部!乌鲁木齐;830000;乌鲁木齐铁路局计量研究所;830011;
【基金项目】
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北京中关村地区联合测试中心测试基金
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采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固Si-SiO2光频电容率在沿Si-SiO2的深度分布上呈现一个位于界面区的峰谷．辐照后光频电容率与未辐照光频电容率之比亦出现一个峰谷；加固与非加固Si-SiO2界面区光频电容率均随辐照剂量的增加而降低，其中非加固样品的减少明显于加固样品的减少。文中以完整SiO2等离子体激元密度与纯Si等离子体激元密度在界面区的相对变化，探讨了电离辐射致光频电容率变化的机制。
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