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采用软X射线激发光电子能增（XPS），观测了抗辐射加固与非加固Si-SiO2经60Co辐照前、后的光频电容率变化。结果显示；辐照与未辐照非加固S......
采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电......
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对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO2系统进行了60Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO2在硅的二氧化硅态......
