ROHM成功开发汽车导航系统、车载监视器用实时活动图像引擎LSI等

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  ROHM成功开发汽车导航系统、车载监视器
  用实时活动图像引擎LSI
  
  ROHM株式会社最近开发出一种可以实时校正活动图像,从而大幅度提高可视性的实时活动图像引擎LSI,型号为BU1573KV的产品最适合用于汽车导航系统、车载监视器等安装有LCD显示器的设备。BU1573KV以原来是为保安摄像机用的BU1570KN开发的硬件引擎AIE ( Adaptive Image Enhancer )为核心,并将最适合显示器的新型图像处理功能集成于1块芯片上。
  


  BU1573KV的主要优点:
  1. 用AIE核心技术对活动图像的每一帧进行补偿,使图像得到最佳的校正效果
  2.重现肉眼看见那样的整体印象,实现容易看清的鲜明图像
  3.内置有彩色校正功能,可以重现色彩鲜明的图像质量
  4. 从QCIF尺寸(176×144 dot)到最大WVGA+(864×480 dot)的图像数据都能适应
  5.与CPU总线接口或RGB接口兼容
  6.输入输出数据格式与18 /16 bit相对应
  7.工作模式有图像增强模式、分解模式、直通模式、睡眠模式
  8.可以利用由CPU总线接口进行间接寻址或用I2C两种方法来设定寄存器
  9.输出LCD后背照明控制用PWM信号
  10.内置有边沿增强滤波器、伽马滤波器
  
  OK公司推出使用简便的高精度数字点胶机
  
  OK International (OK公司)推出全新DX-350系列数字式点胶机,由微控制器控制。全数字式的DX-350系列能精确控制点胶流量,并具有高精度和高可重复性。DX-350系列将于今年第二季全面上市。
  由DX-350和DX-355点胶机组成的全新DX-350系列功能丰富。其中,DX-350的工作气压范围为0~100 psi,适用于广泛的流体粘度,还可控制气动点胶阀的变化;而DX-355的工作气压范围为0~15 psi,专为满足低粘度流体的点胶而设计。
  DX-350系列针对要求高精度和高可重复性的制造环境,其标配产品包括数字定时器、数字气压和真空显示装置,保证能精确控制两个工作周期之间的滴液。此外,并有10个可编程存储器以保存和提取最常用的涂敷设置。
  


  DX-350系列的应用范围广,操作灵活性高,既能够用于表面贴装焊膏和导电胶的精密点胶,也可以用在电子装配中的半导体底部填充。DX-350系列已获CE认证,并备有一个量程为0.0080~60.00s的定时器,能够进一步提高操作灵活性。该点胶机采用24V直流供电,随机配有直流稳压电源、气管、针头样品、料筒、适配器和料筒支架。
  DX-350系列产品还可堆叠使用,以及方便地携带到不同的工作位置,加上体积小巧,是需要节省工作空间的制造厂商的理想选择。
  
  研诺推出首款集成式超级电容充电器芯片
  
  研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620,适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端负荷开关应用。该款新型器件包含的所有电路都需要进行限制电流、保护PC卡插口、不间断地对电容器充电,并且可在准备就绪时对系统进行提示,这样,在不超出主机电源规格的情况下,确保了超级电容器——通常被用来平衡高脉冲电流——可以被快速地充满。
  


  AAT4620带有两个独立可调的限流电路,可以在主机与插卡调整阶段对电流进行控制。当散热度较低时,此内置限流电路允许电容器充到其终值98%的电量。另外,通过对两只外部电阻器的调节,该限流电路还可支持超过或低于10%的额定工作温度范围。
  AAT4620所含的一个内置数字功率回路可自动监测充电电流,并可在电荷量太高,造成温度过高并可能引起芯片过热保护时,将充电电流降低到一个安全水平。通过调节充电电流和与此相关的晶圆温度,该电路确保了超级充电器可进行不间断地快速充电。AAT4620内置的反向电阻保护电路可避免超级电容器对电源进行电流回放。当超级电容器充电完毕并可使用时,带有外部可调滞后模式的系统就绪输出引脚可对系统发出提示。
  AAT4620芯片的典型静态电流仅为40μA;在关闭模式下,电源电流降为1μA。AAT4620采用无铅、12引脚TSOPJW封装,现可供货。其额定工作温度范围是-40℃~+85℃。
  
  应用材料推出业界最先进的应力工程技术
  提升45nm晶体管速度
  
  近日,应用材料公司宣布推出Applied Producer Celera PECVD(等离子体强化化学气相沉积) 系统,它能实现在45nm及更小技术节点的器件上生产速度更快的晶体管所需要达到的应力水平,是应力工程技术(Strained engineering technology) 的一个巨大进步。该系统结合应用材料的Nanocure UV(紫外线)处理技术以及改进型氮化物沉积反应腔,把薄膜张力提高了超过30%,达到了业界领先的1.7GPa等级,并可扩展至超过2.0GPa。在锗硅凹型源漏结构的应用中,同一个沉积反应腔可以沉积最高达3.5GPa的压力薄膜,使驱动电流提高超过85%。
  


  Producer Celera系统的关键是其完整的多级沉积和处理工艺,使得NMOS 器件中PECVD的张力达到了业界最高。整个工艺在同一系统中进行,不必接触空气,使器件可靠性和性能得到了最大化。
  多重应力工程薄膜经常被先进器件所采用来提高晶体管驱动电流,从而优化其速度和功耗性能。应力薄膜和新型高K/金属栅极技术的结合将进一步推动芯片缩小超越45纳米技术节点,使摩尔定律得以继续生效。
  结合Producer Celera系统的氮化物层和应力记忆技术,增加的应力所带来的好处使晶体管具有更高的驱动电流、更快的速度和更低的功耗。Applied Producer HARP系统为STI(浅沟槽隔离)和PMD(金属沉积前介电质层)工艺提供应力形成张力薄膜。Applied Centura RP Epi 锗硅凹型源漏外延系统在其强劲的100%可选择的工艺中可提高驱动电流超过60%之多。除了在逻辑器件上带来的好处之外,应力工程还能帮助非易失性记忆器件降低漏电流并提高保持时间。
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