【摘 要】
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应用GeSi幅相多功能芯片、GaN多功能芯片,设计制作了一种X波段双通道瓦片式T/R组件,组件工作频率为8.5~10.5GHz。组件采用BGA(Ball Grid Array)球的三维高密度集成技术使微波
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应用GeSi幅相多功能芯片、GaN多功能芯片,设计制作了一种X波段双通道瓦片式T/R组件,组件工作频率为8.5~10.5GHz。组件采用BGA(Ball Grid Array)球的三维高密度集成技术使微波多层基板之间实现了三维垂直互联。充分考虑腔体效应、芯片的级间匹配问题,利用芯片的S参数、三维垂直互联模型,应用仿真软件对T/R组件进行了仿真。采用SMT工艺、MCM工艺,合理设置温度梯度,对组件进行了装配、测试,测试结果与仿真数据有较好的拟合。接收支路噪声系数小于3.5dB,接收增益大于27.5dB,发射支路的输出脉冲功率大于32.5dBm,T/R组件6位移相、6位衰减,移相均方根误差小于3.4°,衰减幅度均方根误差小于0.8dB。组件尺寸为30mm×20mm×2.5mm(微波传输方向20mm)。
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