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在在不变的不规则的最容易溶解的生长冷却下面的平均薄片状的间距和接口被放松等温的接口假设基于杰克逊和亨特的分析估计。以低生长率,在冷却下面的平均薄片状的间距和平均接口仅仅依赖于一个二元低(共) 熔物系统的典型 thermo 物理的性质。为一般 Al-Si eutectic,最容易溶解的典型长度与那从等温的分析获得了基于现在的非等温的分析一致,这被发现;然而,在冷却下面的平均接口在他们之间是显著地不同的,并且在在冷却下面的平均接口的如此的差异与生长率增加增加。在冷却下面的测量接口从文学获得了被现在的非等温的分