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采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射（XRD）、霍尔效应仪、扫描电镜（SEM）等对薄膜样品进行了表征，研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响，结果表明：溅射功率对ITO的光电性能影响较小，沉积速率随着溅射功率的增大而加快；随着氧分压的升高，载流子浓度降低，霍尔迁移率先增大后减小，电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下，制备了在可见光区平均透过率达85％、电阻率为1×10^-4Ω·cm的光电性能优良的ITO