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采用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理.对结晶膜的晶体质量进行了Raman光谱表征.研究表明，对于非扫描模式，晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度，即氢的存在阻碍非晶硅的晶化.玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响.在150～450mJ/cm2，结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高.结晶膜中存在由非晶硅熔化与重结晶引入的张应力.