非晶硅膜相关论文
为了获得低成本高效率硅基薄膜太阳能电池，利用具有不同带隙的硅基薄膜材料来构成宽光谱响应的新型硅基薄膜吸收材料是近年来值......
本文报道了利用卤钨灯的光量子效应和快速升温特点,在低温下晶化非晶硅薄膜的研究结果.分析了初始膜中的微晶成分在晶化过程中的作......
本文报道用“不间断生长/退火”FECVD技术,制备了含一定比例(～0.3)微晶成分的非晶硅膜.它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用......
对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有......
近日，大理白族自治州高新技术开发区管理委员会与源畅高科技集团有限公司签署了大理太阳能非晶硅膜光电项目投资协议。该项目是由外......
本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar<sup>+</sup>激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a......
采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜,测量了薄膜的荧光光谱,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射,其荧光......
在介绍光－ＣＶＤ制备非晶硅膜的同时，简要介绍国外近几个报导的电子回旋共振微波等离子体低温ＣＶＤ，ＣＬＴ－ＣＶＤ，均持ＣＶＤ等技术制备非晶硅膜的状况及设备市场。......
实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性......
目前TOPCon电池的一大任务就是如何简化制备工艺,以便最大限度地降低成本。图24给出了TOPCon电池的3种不同的工业化工艺流程,这3种......
采用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理.对结晶膜的晶体质量进行了Raman光谱表征.研究表明，对于非扫描模......
随着社会经济的发展,能源危机和环境污染问题加剧,寻找清洁可再生能源已成为世界范围能源研究的重点。其中太阳能光伏行业的发展尤......
交联ＦＦＡＰ极性固定相非晶硅膜改性弹性玻璃毛细管气相色谱柱是一种新柱型，具有柱效高、化学惰性好、稳定性好、抗溶剂、抗腐蚀和耐高温等......
本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜，非晶硅膜，氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高，简便准确可靠，样品量少......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情......
本文利用8.42MeV窄共振核反应~1H(~(19)F,αv)~(16)O研究了辉光放电制备非晶硅多层膜中氢的深度分布、游动性及其随退火温度的关系......
采用红外吸收（IR）谱法并借助于扫描电子显微镜（SEM）研究了掺氢非晶态硅（a-Si:H）薄膜（厚度0.5-4μm）中硅氢健（Si-H）的断裂和转化特性（SiH→SiH<......
本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率......
本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱......
对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有......
期刊
