【摘 要】
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Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用(110)晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议(IEDM)上,Intel的32nm器件经理PaulPackan表示:Intel在(110)晶向衬底
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Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用(110)晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议(IEDM)上,Intel的32nm器件经理PaulPackan表示:Intel在(110)晶向衬底上制造的45nm晶体管,得到了与预想一致的结果,pMOS驱动电流达到了1.2mA/pm,同时,nMOS驱动电流并未退化很多。
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