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给出了一种利用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的氧化层中的平增有效质量方法，利用波的干涉方法来处理电了隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式，用于涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的MOS结构的二氧化硅介质层听有效质量表明，它一般在自由电子质量的0．52－0．84倍的范围，实验结果表明，电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化，并且对于相同的MOS结构，电子可能具有相同的有效质量。