论文部分内容阅读
Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注。制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度，因此，Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要。Ge在常温下既不与浓碱发生反应，也不与单一的强酸反应，其清洗机理与Si、GaAs等材料相差较大。在实验和查阅文献的基础上，阐述了Ge抛光片的清洗机理，介绍了太阳电池用Ge抛光片表面的宏观沾污和微观沾污的清洗方法和过程、同时对Ge抛光片表面的氧化状态进行了分析。另外，还对目前国内外Ge抛光片清洗技术的研究现状及技术水平做了介绍，指出了Ge抛光片清洗技术