【摘 要】
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研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏
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研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。
The influence of implantation angle, implantation of p-type buried layer and rapid thermal annealing of infrared on the uniformity of GaAsIC active layer was investigated. The doped active layer with good surface morphology and large area uniformity was obtained. FET on the 2-inch wafer made by the relative deviation of the gate current of 2.3%, standard deviation of the device threshold voltage of 98mV. Made with this material 672 gate GaAs ultra-high-speed gate array circuit, also made a working frequency of 5GHz in addition to two dynamic frequency divider.
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