第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

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本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。
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