直接热氮化SiO2薄膜的电特性

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【摘要】

：

对热生长SiO2膜,在NH3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介

【作者】

：

齐鸣罗晋生

【机构】

：

西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

1989年1期

【关键词】

：

SIO2薄膜氮化高温退火电特性 SiO_2 thin film High temperature annealing Nitridation Ele

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对热生长SiO2膜,在NH3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。更多还原

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