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用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究
用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究
来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiao_zhuang_lin
【摘 要】
:
以SiH4为生长气源,利用VLS(气相-液相-固相)互反应生长机制,在RT-CVD生长设备上通过向(111)硅衬底表面引入Au,生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电
【作 者】
:
陆阳
施毅
【机 构】
:
南京大学物理系,210093
【出 处】
:
功能材料
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
VLS生长机制
金硅合金
线状硅晶
真空微电子技术
VLS mechanism
Au-Si eutectic
crystal wires
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以SiH4为生长气源,利用VLS(气相-液相-固相)互反应生长机制,在RT-CVD生长设备上通过向(111)硅衬底表面引入Au,生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察,并分析讨论了生长的异常现象。
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