【摘 要】
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对于由横向pnp晶体管作电流源和多集电极npn晶体管作倒相器的集成注入逻辑(I~2L)或并合晶体管逻辑(MTL)进行了讨论,在5级闭环倒相器链里测得的每门速度-功耗乘积为0.13微微焦
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对于由横向pnp晶体管作电流源和多集电极npn晶体管作倒相器的集成注入逻辑(I~2L)或并合晶体管逻辑(MTL)进行了讨论,在5级闭环倒相器链里测得的每门速度-功耗乘积为0.13微微焦耳,并已获得400门/毫米~2的封装密度。与MOS逻辑的布线图进行了比较,提出了生产快速电路的一种可行方法。
The integrated injection logic (I ~ 2L) or the merged transistor logic (MTL) is discussed for a lateral pnp transistor as a current source and a multi-collector npn transistor as an inverter, as measured in a 5-stage closed-loop inverter chain Each door speed - power product of 0.13 pico-Joule, and has been 400 / mm ~ 2 package density. Compared with the wiring diagram of MOS logic, a feasible method of producing fast circuits is proposed.
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