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本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A-7A)的动态特性,并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻僻。+)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJF