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基于pin结构a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论a-Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜中电场强度.在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/CIS叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),因而没有发生a-Si/CIS叠层太阳能电池顶电池(p-i-n a-Si∶H)的光诱导性能衰退,a-Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性.