双注入多晶硅发射极高性能BiCMOS技术研究

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研究了一种BiCMOS新技术,基区和发射区均通过发射极多晶注入,使形成的基区更浅,更窄;通过等平面氧化形成的鸟嘴,将版图设计中3.0μm,的发射极条宽“挤”为2.0μm左右。提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中,中能提高工艺的兼容性,简化工艺。
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