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报道了一种高增益高效率S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在f=2.4~2.6GHz,D=10%,τp=100μs,Vc=36V条件下输出功率100W、增益9dB、效率50%。在f=2.6GHz短脉宽条件下输出功率160W、增益......
研究了一种BiCMOS新技术,基区和发射区均通过发射极多晶注入,使形成的基区更浅,更窄;通过等平面氧化形成的鸟嘴,将版图设计中3.0μm,的发射极条宽“......