报道了一种高增益高效率Ｓ波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。器件在ｆ＝２．４～２．６ＧＨｚ，Ｄ＝１０％，τｐ＝１００μｓ，Ｖｃ＝３６Ｖ条件下输出功率１００Ｗ、增益９ｄＢ、效率５０％。在ｆ＝２．６ＧＨｚ短脉宽条件下输出功率１６０Ｗ、增益......

研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅，更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计中３．０μｍ，的发射极条宽“......