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随着大规模集成电路和半导体器件结构尺寸的不断缩小和器件复杂性的不断增加,低能中性束由于其固有的电中性性质将成为进行无电荷和低损伤蚀刻的一种有前途的技术。本文给出了蚀刻微细图案的发展状况,估价了低能中性束蚀刻的优越性,评述了蚀刻用低能中性束源及其用于蚀刻研究的目前世界状况,分析了把各种离子源用于低能中性束蚀刻的潜力和限制,并提出了研制中性束源及其蚀刻的建议。