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一种电感耦合高频(13.56MHz)等离子体反应器已用于互补型金属氧化物半导体(CMOS)门电路制造中的多晶硅蚀刻。该系统包括一个置于反应室顶部缘板之上供电的平线圈。用朗缪 尔探针测量表明,在约5mtorr压强 下系统可产生高密度等离子体(Ni>10^11cm^-3)。系统固有的偏压较低,来自另一个13.56MHz脉冲发生器的电容耦合基底偏压可以独立控制离子能量。在Cl2放电中本系统可以以高速率(>3000A·min^-1) 蚀刻多晶硅。且对氧化物有良好的选择性。蚀刻效果将和基于热波、