论文部分内容阅读
忆阻器因其独特的电学特性,在阻变存储、人工神经网络和电路中有着良好的应用前景。交叉阵列在二维集成中被广泛采用,三维集成可分为堆叠交叉阵列和垂直交叉阵列。本文对比讨论了两种三维结构,分析了提高集成密度的方法;总结了不同阻变机理、窗函数、电路结构下的忆阻器模型,给出了相应的Ⅰ-Ⅴ曲线;解释了忆阻器的生物突触行为,介绍了忆阻器在人工神经网络和电路上的应用。