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利用光学发射谱技术对螺旋波等离子体化学气相沉积纳米硅薄膜的等离子体内活性粒子的光发射特征进行了原位测量.研究了薄膜沉积过程中各实验参量对活性基团SiH,Hβ以及Hα的发射谱强度的影响.实验结果表明,静态磁场的加入可显著提高反应气体的解离效率;适当的氢稀释可以提高氢活性粒子的浓度,而过高的氢稀释比将使含硅活性基团浓度显著减小;提高射频馈入功率整体上可以使各活性粒子的浓度增加,并有利于提高到达衬底表面氢活性粒子的相对比例.结合螺旋波等离子体色散关系和等离子体特点对以上结果进行了分析.该结果为螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜过程的理解及制备工艺参数的调整提供了基础数据.