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借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下，ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后，ＧａＰ表面氧化物基本消失，形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ－Ｓ、Ｐ－Ｓ键，并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移，Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。