【摘 要】
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用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射
【机 构】
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滁州学院电子信息工程系,安徽大学物理与材料科学学院
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用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。
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