【摘 要】
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报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和In
【机 构】
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深圳信息职业技术学院电子通信技术系,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,
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报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。
A method of fabricating a narrow-ridge InAs / InP quantum dot laser by chemical wet etching has been reported. The laser ridge is mainly composed of semiconductor materials InGaAs and InP. The selective etching of InGaAs and InP by selecting the proper ratio of etching direction of H2SO4: H2O2: H2O and H3PO4: HCl and InP, Narrow ridge width of 6μm quantum dot laser. The laser can work in continuous wave mode at room temperature. The lasing wavelength is 1.55μm in the important window of optical fiber communication, and the maximum output power of single side exceeds 12mW.
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