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提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅。在曝光显影条件变化20%的情况下,InP HEMT成品率达到80%以上;跨导变化范围在590-610mS/mm,夹断电压为-1.0--1.2V,器件的栅长分布均匀。这种新的结构工艺步骤少,工艺宽容度大,重复性好,大大提高了纳米栅器件的成品率。