【摘 要】
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2006年2月英特尔正式推出45nm153Mb SRAM原型,它包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环、I/O、寄存器和分立测试结构等,预计2007年下半年量产。它与65nm芯片相比,其密度提高2倍,达1
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2006年2月英特尔正式推出45nm153Mb SRAM原型,它包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环、I/O、寄存器和分立测试结构等,预计2007年下半年量产。它与65nm芯片相比,其密度提高2倍,达10亿个晶体管,开关速度提高20%,功耗降低30%,这种45nm工艺称P1266,采用Cu互连、低K膜、应变硅和193nm Ar
February 2006 Intel officially launched 45nm153Mb SRAM prototype, which includes SRAM arrays, PROM arrays, phase-locked loops, I / O, registers and discrete test structures, is expected in late 2007 production. Compared with the 65nm chip, its density is doubled to 1 billion transistors, the switching speed is increased by 20%, and the power consumption is reduced by 30%. This 45nm process is called P1266. It uses Cu interconnect, low K film, strained silicon and 193 nm Ar
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