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在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀中，发现氟化气体比氯化气体显然有较大的微－负载效应，为了解释气体效应，利用Ｃｌ２和ＳＦ６进行了模型实验，对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算，计算时既考虑了腐蚀剂的屏蔽效应，也考虑了其表面迁移。
在硅深—亚微米沟道反应离子刻蚀中气体成分对深度减小的影响
【摘 要】
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在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀中，发现氟化气体比氯化气体显然有较大的微－负载效应，为了解释气体效应，利用Ｃｌ２和ＳＦ６进行了模型实验，对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算，计算时既考虑了
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年6期
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