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AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料，具有优良的光学和电学性能，在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究，为AlInN三元合金在光电方南的基础和应用研究提供了重要参考。
AlInN光电薄膜的研究进展
【摘 要】
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AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料，具有优良的光学和电学性能，在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、
【机 构】
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四川师范大学固体物理所低维结构物理实验室,中国科学院国际材料物理中心
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2010年7期
【基金项目】
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四川省科技厅应用基础研究项目(2006J13-052)
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